Tobias Korn

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Christian SchüllerProfessor of Physics, University of Regensburg, GermanyBestätigte E-Mail-Adresse bei ur.de
Philipp NaglerUniversity of RegensburgBestätigte E-Mail-Adresse bei ur.de
Werner WegscheiderProfessor für Physik, ETH ZürichBestätigte E-Mail-Adresse bei phys.ethz.ch
Alexey ChernikovEmmy Noether Group Leader, Department of Physics, University of Regensburg, GermanyBestätigte E-Mail-Adresse bei ur.de
Dieter WeissUniversitaet Regensburg, Max-Planck Institut FKF Stuttgart, TU München; Technical University MunichBestätigte E-Mail-Adresse bei ur.de
Nicola ParadisoUniversity of RegensburgBestätigte E-Mail-Adresse bei physik.uni-regensburg.de
Peter ChristianenBestätigte E-Mail-Adresse bei science.ru.nl
Mikhail GlazovIoffe Physical-Technical Institute of the Russian Academy of SciencesBestätigte E-Mail-Adresse bei coherent.ioffe.ru
Ermin MalicProfessor, Department of Physics, Philipps-Universität Marburg, GermanyBestätigte E-Mail-Adresse bei uni-marburg.de
Jaroslav FabianProfessor of Physics, University of RegensburgBestätigte E-Mail-Adresse bei ur.de
Martin Gmitrapost-doc, P. J. Safarik University in KosiceBestätigte E-Mail-Adresse bei upjs.sk
Archana RajaStaff Scientist, Molecular Foundry, Lawrence Berkeley National LaboratoryBestätigte E-Mail-Adresse bei lbl.gov
Tony F HeinzDept. of Applied Physics and SLAC National Accelerator Lab, Stanford UniversityBestätigte E-Mail-Adresse bei stanford.edu
Ashish AroraPostdoctoral Fellow, Physikalisches Institut, University of Münster, Germany (ResID AAN-2736-2020)Bestätigte E-Mail-Adresse bei uni-muenster.de
Johannes SchmutzlerTU Dortmund UniversityBestätigte E-Mail-Adresse bei tu-dortmund.de
Robert SchmidtPostDoc, WWU MünsterBestätigte E-Mail-Adresse bei uni-muenster.de
Galan MoodyUniversity of California Santa BarbaraBestätigte E-Mail-Adresse bei ece.ucsb.edu
Andreas KnorrPhysikBestätigte E-Mail-Adresse bei physik.tu-berlin.de
Timothy BerkelbachColumbia University, Flatiron InstituteBestätigte E-Mail-Adresse bei columbia.edu
Dirk GrundlerEPF Lausanne, STI-IMX-LMGN, SwitzerlandBestätigte E-Mail-Adresse bei epfl.ch

Tobias Korn

Institut für Physik Universität Rostock

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Low-temperature photocarrier dynamics in monolayer MoS₂ T Korn, S Heydrich, M Hirmer, J Schmutzler, C Schüller Applied Physics Letters 99 (10), 102109, 2011	684	2011
Coulomb engineering of the bandgap and excitons in two-dimensional materials A Raja, A Chaves, J Yu, G Arefe, HM Hill, AF Rigosi, TC Berkelbach, ... Nature communications 8 (1), 1-7, 2017	296	2017
Resonant internal quantum transitions and femtosecond radiative decay of excitons in monolayer WSe₂ C Pöllmann, P Steinleitner, U Leierseder, P Nagler, G Plechinger, M Porer, ... Nature materials 14 (9), 889-893, 2015	249	2015
Excitonic linewidth and coherence lifetime in monolayer transition metal dichalcogenides M Selig, G Berghäuser, A Raja, P Nagler, C Schüller, TF Heinz, T Korn, ... Nature communications 7 (1), 1-6, 2016	230	2016
Identification of excitons, trions and biexcitons in single‐layer WS₂ G Plechinger, P Nagler, J Kraus, N Paradiso, C Strunk, C Schüller, T Korn physica status solidi (RRL)–Rapid Research Letters 9 (8), 457-461, 2015	228	2015
Trion fine structure and coupled spin–valley dynamics in monolayer tungsten disulfide G Plechinger, P Nagler, A Arora, R Schmidt, A Chernikov, AG Del Águila, ... Nature communications 7 (1), 1-9, 2016	187	2016
Raman spectroscopy of the interlayer shear mode in few-layer flakes G Plechinger, S Heydrich, J Eroms, D Weiss, C Schüller, T Korn Applied Physics Letters 101 (10), 101906, 2012	164	2012
Lightwave-driven quasiparticle collisions on a subcycle timescale F Langer, M Hohenleutner, CP Schmid, C Pöllmann, P Nagler, T Korn, ... Nature 533 (7602), 225-229, 2016	154	2016
Direct Observation of Ultrafast Exciton Formation in a Monolayer of WSe₂ P Steinleitner, P Merkl, P Nagler, J Mornhinweg, C Schüller, T Korn, ... Nano Letters 17 (3), 1455-1460, 2017	128	2017
Momentum-space indirect interlayer excitons in transition metal dichalcogenide van der Waals heterostructures J Kunstmann, F Mooshammer, P Nagler, A Chaves, F Stein, N Paradiso, ... Nature Physics 14, 801-805, 2018	127	2018
Two-dimensional semiconductors in the regime of strong light-matter coupling C Schneider, MM Glazov, T Korn, S Höfling, B Urbaszek Nature communications 9 (1), 1-9, 2018	125	2018
Control of biaxial strain in single-layer molybdenite using local thermal expansion of the substrate G Plechinger, A Castellanos-Gomez, M Buscema, HSJ Van Der Zant, ... 2D Materials 2 (1), 015006, 2015	113	2015
Neutral and charged inter-valley biexcitons in monolayer MoSe 2 K Hao, JF Specht, P Nagler, L Xu, K Tran, A Singh, CK Dass, C Schüller, ... Nature communications 8 (1), 1-7, 2017	110	2017
Low‐temperature photoluminescence of oxide‐covered single‐layer MoS₂ G Plechinger, FX Schrettenbrunner, J Eroms, D Weiss, C Schueller, ... physica status solidi (RRL)–Rapid Research Letters 6 (3), 126-128, 2012	107	2012
Hysteresis and control of ferromagnetic resonances in rings F Giesen, J Podbielski, T Korn, M Steiner, A Van Staa, D Grundler Applied Physics Letters 86 (11), 112510, 2005	93	2005
A direct comparison of CVD-grown and exfoliated MoS2 using optical spectroscopy G Plechinger, J Mann, E Preciado, D Barroso, A Nguyen, J Eroms, ... Semiconductor Science and Technology 29 (6), 064008, 2014	92	2014
Effect of initial spin polarization on spin dephasing and the electron g factor in a high-mobility two-dimensional electron system D Stich, J Zhou, T Korn, R Schulz, D Schuh, W Wegscheider, MW Wu, ... Physical review letters 98 (17), 176401, 2007	92	2007
Lightwave valleytronics in a monolayer of tungsten diselenide F Langer, CP Schmid, S Schlauderer, M Gmitra, J Fabian, P Nagler, ... Nature 557 (7703), 76-80, 2018	87	2018
Exciton diffusion and halo effects in monolayer semiconductors M Kulig, J Zipfel, P Nagler, S Blanter, C Schüller, T Korn, N Paradiso, ... Physical review letters 120 (20), 207401, 2018	85	2018
Excitonic Valley Effects in Monolayer WS₂ under High Magnetic Fields G Plechinger, P Nagler, A Arora, A Granados del Águila, MV Ballottin, ... Nano letters 16 (12), 7899-7904, 2016	84	2016

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