‪Amin Vanak‬ - ‪Google Scholar‬

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Koautoren

Amir AminiAssociate Professor of Electronic Engineering,West Tehran Branch, Islamic Azad UniversityBestätigte E-Mail-Adresse bei wtiau.ac.ir
Seyyed Hossein PishgarDepartment of Electrical Engineering, Engineering Faculty, West Tehran Branch, Tehran, Iran.Bestätigte E-Mail-Adresse bei wtiau.ac.ir
Reza Sabbaghi-NadooshanProfessor of Electrical Engineering, Islamic Azad University, Central Tehran BranchBestätigte E-Mail-Adresse bei iauctb.ac.ir

Amin Vanak

Amin Vanak

phd student of Islamic Azad University of Tehran

Bestätigte E-Mail-Adresse bei wtiau.ac.ir

nanotechnology- SEMICONDUCTOR-junctionless transistor-RF


Titel Nach Zitationen sortieren Nach Jahr sortieren Nach Titel sortieren	Zitiert von Zitiert von	Jahr
Improvements in Reliability and RF Performance of Stacked Gate JLTFET Using p⁺ Pocket and Heterostructure Material A Vanak, A Amini, SH Pishgar Silicon 15 (9), 4137-4147, 2023	2	2023
Improvement of Power and Performance in NAND and D-Latch Gates using CNFET Technology A Vanak, R Sabbaghi-Nadooshan Journal of Nano Research 33, 126-136, 2015	1	2015
Designing Heterostructure Junctionless Tunnel Field Effect Transistor with Silicon-on-nothing Technology for DC parameter improvement A Vanak, A Amini Journal of Modeling in Engineering, 2023		2023

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Artikel 1–3