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Koautoren
- Dmitry IrzhakInstitute of Microelectronics Technology and High Purity Materials RASBestätigte E-Mail-Adresse bei iptm.ru
- Oleg KononenkoInstitute of Microelectronics Technology and High Purity Materials, RASBestätigte E-Mail-Adresse bei iptm.ru
- Sergey SakharovОАО "ФОМОС-Материалс"Bestätigte E-Mail-Adresse bei newpiezo.com
- Z* InsepovKazakh National Technical UniversityBestätigte E-Mail-Adresse bei purdue.edu
- BoulangerUniversité Grenoble AlpesBestätigte E-Mail-Adresse bei neel.cnrs.fr
- Patricia SegondsInstitut Néel CNRS Université Joseph Fourier GrenobleBestätigte E-Mail-Adresse bei grenoble.cnrs.fr
- Maxim GrigorievScientist, Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials RASBestätigte E-Mail-Adresse bei iptm.ru
- Vasily PunegovКоми научный центр УрО РАНBestätigte E-Mail-Adresse bei dm.komisc.ru
- Lyudmila KokhanchikInstitute of Microelectronics Technology and High Purity Materials RASBestätigte E-Mail-Adresse bei iptm.ru
- Vito MocellaCNR ISASIBestätigte E-Mail-Adresse bei na.isasi.cnr.it
- David FieldProfessor, School of Mechanical and Materials Engineering, Washington State UniversityBestätigte E-Mail-Adresse bei wsu.edu
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Dmitry Roshchupkin
Institute of microelectronics technology and high-purity matarials Russian academy of sciences
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